GaN vs. Кремний: Почему это не просто эволюция, а революция в USB-адаптерах?

Технология GaN (нитрид галлия) – это не просто новый материал, а фундаментальный прорыв в силовой электронике. Если кремниевые транзисторы десятилетиями были стандартом, то GaN предлагает в 3-5 раз более высокую скорость переключения и в 10 раз меньшие потери энергии.

Чем GaN лучше кремния?

Эффективность

Кремний: Теряет до 20-30% энергии в виде тепла из-за высокого сопротивления.

GaN: Потери менее 5% благодаря широкой запрещенной зоне (3.4 эВ против 1.1 эВ у Si).

Тепловыделение

Кремний: Требует массивных радиаторов, иначе перегревается.

GaN: Работает при более высоких температурах без деградации, что позволяет делать адаптеры компактнее и легче.

Плотность мощности

GaN-чипы могут быть в 5 раз меньше кремниевых при той же мощности.

Это значит: 100 Вт USB-адаптер размером с 30 Вт – вполне реален.

Частота переключения

Кремний: Ограничен десятками-сотнями кГц.

GaN: Легко работает на мегагерцах, что позволяет использовать меньшие трансформаторы и конденсаторы.

Для специалистов:

GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor) обеспечивает меньший Rds(on) и быструю рекуперацию обратного диода.

КПД преобразователей на GaN достигает 98% против 90-93% у лучших Si-решений.

Для обычных пользователей:

Это просто очень маленькие, но мощные зарядки, которые не перегреваются и заряжают всё быстро.

У ROBITON теперь есть GaN-адаптеры – с передовой электроникой, но без лишнего веса и габаритов:

ROBITON CHARGER35-UCB GAN 35Вт 3000мА USB/Type C BL1

ROBITON CHARGER35-UCW GAN 35Вт 3000мА USB/Type C BL1

Оба адаптера можно заказать оптом на сайте: www.istochnik.ru